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PECVD等离子体增强化学沉积系统

文章作者:admin发布时间:2019-07-04 16:18:07浏览次数: 307

PECVD等离子体增强化学沉积系统

PECVD等离子体增强化学沉积系统 1200℃

  该产品具有固态等离子源、分开式反应气体进气系统,动态衬底温控,控制真空系统采用集中现场控制总线技术的 nobody控制软件,以及友好用户操作界面来操作。适用于室温至1200℃条件下进行的Si02、SiNx、Si0Nxa-Si薄膜的沉积,同时可实现TEOS源沉积,SiC膜月沉积以及液态或气态源沉积其它材料,尤其适合于有机材料上,保护层膜和特定温度下损伤钝化膜的沉积。

  

应用领域

  等离子诱导表面改性;

  等离子清洗;

  等离子聚合;

  表面沉积Si0x、SiNx、非晶硅、微晶硅、纳米硅、SiC、类金刚石等多种薄膜;

  碳纳米管(CNT)的选择性生长;


主要特点

  清洗镀膜一气呵成,杜绝二次污染

  上开启结构,式样观察方便

  触屏人机对话整体性操作,安全可靠;

  产品采用全自动控制方式,触摸屏,数字化显示

  真空系统、工作压强、电源系统及自动匹配、工芑气体流量、加热系统、运动系统、工艺过程、系统监控及数据采集等。

技术参数

型号 流量控制 清洗镀膜RF功率 管径(外)(mm) 式样尺寸in 加热区长度(mm) 温度 外形尺寸(mm) 功率 重量
Kg(约)
QC-PECVD1200-80ITD2Z 两路质量流量计 20~200W可调 ∮60
∮80
2~3" 200 1200度 1300 1260 820 AC220V
4KW
360
                      可非标定制                欢迎来电咨询